Некоторое время назад компания Samsung Electronics объявила о важном достижении в области производства флэш-памяти. Южнокорейский производитель первым начал серийное производство флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND).
В течение четырех десятилетий флэш-память имела плоскую структуру с плавающими затворами. Когда технологические нормы перешагнули порог в 20 нм, возможности дальнейшего уменьшения оказались ограничены взаимным влиянием ячеек, снижающим надежность памяти. Переход к объемной компоновке радикально решает эту проблему, открывая возможность дальнейшего наращивания плотности.
Сейчас Samsung выпускает чипы V-NAND плотностью 128 Гбит. В этих изделиях используется структура ячеек, разработанная специалистами компании на основе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных соединений, связывающих ячейки в объемный массив. С помощью указанных технологий можно формировать в одном кристалле до 24 слоев с ячейками памяти, связывая их вертикальными соединениями.
Одновременно удалось улучшить показатели производительности и надежности. Как утверждается, по сравнению с планарной памятью, выпускаемой по нормам 10-нанометрового класса, скорость записи увеличена вдвое, а увеличение надежности составляет от двух до десяти раз.
По словам производителя, память 3D V-NAND будет использоваться в широком спектре электронных устройств потребительского и корпоративного сегментов, включая встраиваемые хранилища и твердотельные накопители.
Составители пресс-релиза не забыли упомянуть, что плоды десятилетних исследований в области 3D V-NAND зафиксированы в более чем 300 патентах Samsung.